Metal-gözenekli silisyum eklemlerin elektriksel özellikleri

dc.contributor.advisor	Prof. Dr. Tayyar Caferov
dc.contributor.author	Öztemel, Suna
dc.date.accessioned	2018-07-17T13:19:10Z
dc.date.available	2018-07-17T13:19:10Z
dc.date.issued	1999
dc.identifier.uri	http://localhost:6060/xmlui/handle/1/2581
dc.description	Tez (Yüksek Lisans) - Yıldız Teknik Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, 1999
dc.description.abstract	Monokristalik n-tipi silisyumun yüzey bölgesinde, elektrokimyasal yöntemle gözenekli silisyum tabakası hazırlandı. Silisyum altlıktan ayrılmış ince tabakalı (yaklaşık 10 um kalınlıkta) gözenekli silisyumun iletkenliği p-tipi, özdirenci p=1.8xlOĞ Q.cm, deliklerin konsantrasyonu p=9.6xl012 cm"3 ve mobilitesi u=0.36 cm /V.s olarak oda sıcaklığında Van der Pauw Yöntemi ile ölçüldü. Elektron bombardımanıyla buharlaştırma yöntemi ile metal (Ag veya Cu)-gözenekli silisyum (GS)- silisyum eklemleri hazırlandı. Eklemlerin farklı şartlarda akım-gerilim karakteristikleri (karanlıkta, aydınlıkta, nem ortamında), fotoakımın spektral dağılımı ve kapasitans-gerilim karakteristikleri incelendi. Ag-GS, GS-Si ve Ag-GS-Si eklemlerin doğrultma katsayısı sırasıyla Kı=40, K2=54 ve K3=196 olarak bulundu. Bu eklemlerdeki potansiyel engel yüksekliği sırasıyla cpKl=0.6 V,
dc.subject	Gözenekli silisyum
dc.subject	Metal-yarı iletken metaller
dc.title	Metal-gözenekli silisyum eklemlerin elektriksel özellikleri
dc.type	Tez